甬矽电子新获得实用新型专利授权：“吸嘴结构和芯片吸附设备”

专利摘要：本实用新型提供了一种吸嘴结构和芯片吸附设备，该吸嘴结构包括安装筒、吸嘴主体和吸附腔盖，吸嘴主体的底侧设置有吸附槽，吸附腔盖设置在吸嘴主体的顶侧，安装筒可拆卸地连接于吸附腔盖；吸附槽靠近吸附腔盖的内壁的表面设置有第一吸附孔，第一吸附孔连通至吸附腔室，吸附槽的侧壁上设置有第二吸附孔，第二吸附孔连通至吸附腔室。相较于现有技术，本实用新型由于采用了吸附槽，能够在芯片表面形成大范围的吸附区域，并通过额外设置第二吸附孔提升吸附效果。并且，在吸附槽的侧壁设置第二吸附孔，能够在芯片尺寸与吸附槽相当时，对伸入吸附槽内的芯片侧壁进行吸附，从而提升吸附稳定性，避免小芯片出现翻转或者位移的情况。

今年以来甬矽电子新获得专利授权49个，较去年同期减少了16.95%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了6160.24万元，同比增2.31%。

数据来源：企查查

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